Исследователи из Университета Райса работают над созданием нового типа компьютерной памяти, который позволит хранить на смартфоне в десятки или даже сотни раз больше данных.

Оперативная память типа RRAM сможет хранить данные без постоянного подключения к источнику энергии — флэш-память хранит информацию в виде заряда в транзисторах, а RRAM-память использует сопротивление. Таким образом, каждый бит требует меньше места, значительно увеличивая количество информации, которое может храниться в данной области. Кроме того, RRAM намного компактнее флэш-памяти и работает в сто раз быстрее. Некоторые из разработанных прототипов уже способны хранить данные настолько плотно, что серийный микрочип емкостью в один терабайт сможет иметь площадь почтовой марки!

Также новый тип памяти требует более низкого напряжения, что предотвращает потенциальное повреждение в процессе производства. Кстати, изготавливать RRAM стало возможным при комнатной температуре, что значительно облегчит интеграцию с другой электроникой на чипе.