В лаборатории американского университета Райса разработан прозрачный гибкий чип памяти на основе оксида кремния. Ещё два года назад было сделано открытие, что с помощью сильного электрического разряда в оксиде кремния можно сделать каналы толщиной 5 нм, которые будут состоять из чистых кристаллов кремния. Если впоследствии к получившемуся каналу прикладывать слабое электрическое напряжение, можно добиться разрушения и восстановления электрических связей в канале. Этот процесс даёт возможность энергонезависимого хранения информации. По этому принципу работает новый чип. Его можно сгибать в разных направлениях. Несколько чипов можно соединять в пачки - так получатся трехмерные блоки памяти. Единственным несовершенством чипов пока что является не абсолютная прозрачность. Элементы чипа будут видны по мере увеличения плотности записи.

Инна РЫКУНИНА