В начале февраля группа Марка Гудиксена сообщила о разработке сравнительно простого способа создания сложных наноструктур (Nature, 415, 617-620, 7.02.2002). В качестве первого шага ученые вырастили нанопроводник с одним переходом между арсенидом галлия (GaAs) и фосфидом галлия (GaP). Оказалось, что такая структура может быть реплицирована с образованием больших периодических или непериодических нанопроводников, подобных обычным полупроводниковым суперрешеткам. Затем Гудиксен с коллегами создали нанопроводник с 11 переходами, а также показали, что метод вполне применим и для полупроводников других типов, в частности, для сращивания кремния с фосфидом индия.

По мнению ученых, предложенная технология выращивания сложных наноструктур может быть применена для производства так называемых наноштрих-кодов, при выборе подходящих диэлектрических свойств материалов и для создания сложных электронных и фотонных устройств, таких, например, как одномерные волноводы или нанопроводниковые лазеры.

Сергей САНЬКО