Погоня за скоростью, в которой участвуют крупнейшие процессорные гиганты, требует все большей миниатюризации базовых компонентов процессорных чипов - транзисторов. Но миниатюризация входит в конфликт с необходимостью управления все большими токами и минимизации утечки тока через затвор транзистора. Особенно критичным при миниатюризации является последнее требование, так как ток утечки, которым раньше просто пренебрегали, становится сравнимым с током, идущим от истока к стоку и кодирующим двоичную единицу. Для примирения всех трех упомянутых требований была предложена схема многозатворного транзистора.

Недавно корпорация Intel на Intel Developers Forum представила очередной опытный образец "терагерцевого транзистора", анонсированного в конце прошлого года. Это модель трехзатворного полевого транзистора по технологии SOI ("кремний на изоляторе"). Подробную информацию о своей разработке Intel планирует представить на конференции в Японии. Ожидается, что микросхемы на основе новых транзисторов будут представлены не ранее второй половины текущего десятилетия.

Несколько ранее о своих успехах в этой области сообщила и основной конкурент Intel компания AMD, которой удалось создать самый маленький на сегодняшний день двухзатворный транзистор. В длину он имеет всего 10 нм и в шесть раз меньше ныне существующих транзисторов. Это в принципе позволяет на одном чипе разместить 1 миллиард транзисторов (ныне - порядка 100 миллионов). Новый транзистор был разработан и испытан в сотрудничестве компании с Калифорнийским университетом (Беркли) и Semiconductor Research Corp. Совместная публикация инженеров AMD и ученых Калифорнийского университета будет представлена на Международной конференции по электронным устройствам IEDM, которая пройдет в декабре в Сан-Франциско.

А тем временем IBM уже имеет в своем активе микросхему статического ОЗУ на базе двухзатворных транзисторов. В компании считают, что их массовый выпуск может начаться уже в 2006 году.

Итак, гонщики выходят на новый вираж.

Сергей САНЬКО