Компания Samsung Electronics объявляет о начале массового производства первой в индустрии NAND флэш-памяти с трехмерной структурой упаковки чипа и вертикальным расположением ячеек. Новинка 3D V-NAND с выгодным соотношением производительности и размера будет применяться в широком спектре потребительской электроники и корпоративных приложений, в том числе встраиваемой NAND-памяти и твердотельных накопителях (SSD).

В течение последних 40 лет флэш-память создавалась на основе плоских однослойных структур с ячейками с плавающим затвором. Однако после освоения процесса производства с топологическим размером 10-нм масштаба возникла необходимость в новых технологических решениях, поскольку интерференция между соседними ячейками приводила к снижению надежности NAND-памяти. Попытки решить возникающие проблемы в рамках классических технологий влекла за собой увеличение времени разработки и стоимости чипов памяти.

Новинка V-NAND решает эти технические проблемы, выходя на новый уровень разработки и производства чипов NAND-памяти благодаря инновациям в структуре, схемотехнике и производственном процессе. Благодаря трехмерной структуре слоев в CTF-конструкции удалось значительно повысить надежность и скорость памяти. Новая 3D V-NAND не только демонстрирует увеличение надежности от 2 до 10 раз, но и вдвое повышает скорость записи по сравнению с обычной NAND-памятью с плавающим затвором.

Кроме того, одним из наиболее важных технологических достижений Samsung V-NAND является вертикальная компоновка ячеек, позволяющая объединить до 24 слоев в одном чипе памяти.

Согласно данным ISuppli IHS, показатель доходов мирового рынка NAND флэш-памяти возрастет от $23,6 млрд. в 2013 году и до $30,8 млрд. к концу 2016 года при среднегодовом темпе роста в 11 %.