Несколько дней назад ученые из Стэнфордского университета сообщили о совершенно новом методе получения одноатомных графеновых листов, с помощью которых можно получать полноценные графеновые транзисторы. Чтобы достичь поставленной цели, исследователи использовали ДНК.

Инженеры говорят, что такие физические параметры ДНК, как длина и толщина, в полном объеме соответствуют созданным ими графеновым лентам.

Изначально ученые разработали кремниевую подложку, которая после была помещена в специально подготовленный раствор, содержащий ДНК из клеток бактерии. С помощью специальных методов исследователи вытянули ДНК в прямые нити. После этого инженеры применили раствор соли и меди, химические свойства которого дали возможность ДНК поглотить ионы меди. Затем была разогрета кремниевая подложка и помещена в камеру с метаном. В итоге под воздействием тепла из ДНК и метана высвобождалась часть атомов углерода, которые впоследствии объединялись и образовывали стабильные графеновые соты.

Ученые хотели подтвердить тот факт, что углеродные ленты являются полупроводниками, в отличие от листового графена, поэтому они и создали на их базе транзисторы.

В дальнейшем команда из Стэнфордского университета будет заниматься усовершенствованием и доработкой  данной методики создания графеновых лент, потому что в ходе производства не все атомы объединялись в одноатомный слой углерода. В кое-каких местах атомы углерода формировались не совсем, так как надо, и  сбивались в кучу, образовывая вместо графена графит.

Ученые полагают, что метод, который им удалось обнаружить, без каких-либо проблем может быть внедрен в массовом производстве полупроводников, а также позволит графеновым процессорам оказаться в той же ценовой категории, что и их кремниевые собратья.