Российские учёные Константин Новосёлов и Андрей Гейм вместе с коллегами разработали на основе графена туннельный транзистор с характеристиками, подходящими для промышленного производства. В туннельном транзисторе, в отличие от обычного полевого, канал контролируется с помощью квантового туннельного эффекта, а не инжекции заряда. Т.е. при наложении внешнего напряжения электроны преодолевают потенциальный барьер со значительно большей вероятностью. Такой транзистор потребует в разы меньшего напряжения для переключения состояний, т.е. значительно снизит энергопотребление микросхем.

Однако до сих пор не существовало реализованных образцов туннельных транзисторов, работающих при комнатной температуре. Тут-то и пришёл на помощь графен, который имеет очень высокую подвижность носителей заряда и словно предназначен для миниатюрных микросхем.

Виктор ДЕМИДОВ