Samsung Electronics объявила о подписании меморандума о стратегическом сотрудничестве с Broadcom на общую сумму более $200 млрд, рассчитанного до 2030 года. По данным Bloomberg, эта цифра отражает совокупный объём совместных проектов в течение нескольких лет, а не стоимость единовременной сделки. В рамках соглашения стороны планируют выпускать логические чипы на передовых техпроцессах Samsung Foundry, разрабатывать следующее поколение памяти HBM и внедрять передовые технологии корпусирования.

Ключевым направлением станет производство коммуникационных ASIC Broadcom следующего поколения по техпроцессу Samsung с нормами менее 2 нм. Компании также намерены совместно создавать высокоскоростную память HBM для AI-ускорителей и применять современные технологии интеграции вычислительных кристаллов и памяти в одном корпусе.

Для Samsung это соглашение имеет стратегическое значение: компания рассчитывает усилить позиции в контрактном производстве полупроводников, где она конкурирует с TSMC, а также укрепиться на рынке памяти для систем искусственного интеллекта, где основным конкурентом остаётся SK hynix.

О подписании объявили во время визита президента Южной Кореи Ли Чжэ Мёна в Кремниевую долину, где проходит саммит по искусственному интеллекту. На мероприятии также были заключены и другие соглашения между южнокорейскими компаниями и американскими разработчиками ИИ.