Samsung Electronics на конференции Future of Memory and Storage (FMS) 2026 представила сразу несколько ИИ‑ориентированных разработок: концепцию памяти zHBM, прототип V10 Bonding V‑NAND сверхслоями (более 400 слоёв) и обновлённую дорожную карту памяти для ИИ‑серверов. Главной новинкой стала архитектура zHBM: высокоскоростная память размещается непосредственно над ИИ‑ускорителем, а не рядом с ним.

По словам Samsung, такая компоновка может сократить путь передачи данных и обеспечить в перспективе примерно в 8 раз больший прирост производительности по сравнению с HBM5, более чем в 10 раз большую плотность памяти, примерно трёхкратное увеличение энергоэффективности и снижение теплового сопротивления более чем на 50%.

Компания подчёркивает, что эти значения относятся к концепции и не являются результатами готового изделия. Другой новинкой стал прототип V10 Bonding V‑NAND с более чем 400 слоями. Технология Bonding Vertical (BV) предполагает изготовление массива ячеек памяти и управляющих схем отдельно, затем их объединение в единую структуру. Samsung отмечает увеличение плотности примерно на 58% по сравнению с V9 V‑NAND и одновременное повышение скорости чтения, записи и обмена данными.

Также были показаны zNAND‑O для периферийных ИИ‑систем, анонсированы HBM4E, HBM5, LPDDR5X‑PIM и корпоративные SSD PM1763 и BM1773. При этом сроки коммерциализации, стоимость, совместимость с ИИ‑ускорителями и независимые результаты испытаний не раскрываются — речь идёт о демонстрации перспективных разработок и прототипов.