Цель амбициозна: превратить обычные мобильные устройства в компактные вычислительные центры, способные решать сложные задачи искусственного интеллекта без подключения к облаку.
-
-
Такой прогноз дал руководитель компании Silicon Motion, специализирующейся на создании контроллеров для памяти.
12 мая, 2026 - 09:30 -
Это заявление было сделано в ответ на распространившиеся в сети слухи.
17 декабря, 2025 - 12:30 -
Компания Samsung Electronics объявила о завершении разработки первой в отрасли графической памяти DRAM с удвоенной скоростью передачи данных 7 (GDDR7). Впервые он будет установлен в системах следующего поколения ключевых клиентов для проверки в этом году.
19 июля, 2023 - 17:08 -
Компания Samsung Electronics анонсировала начало серийного производства 16-гигабитной (Гбит) памяти DDR5 DRAM, созданной на базе новейшего технологического процесса класса 12 нанометров (нм).
22 мая, 2023 - 17:09 -
Компания Samsung Electronics анонсировала разработку первой в отрасли памяти DRAM объемом 128 гигабайт (ГБ) с поддержкой стандарта Compute Express Link (CXL) 2.0. Новый продукт был разработан в тесном сотрудничестве с компанией Intel на базе платформы Intel Xeon.
16 мая, 2023 - 13:10 -
Каждый пользователь смартфона в определенный момент сталкивается с проблемой свободного места. Что делать, если вам необходимо установить новое приложение, сделать фотографию либо видео, но память вашего Андроидa заполнена?
30 мая, 2017 - 23:3010
-
В cеть попал документ, подтверждающий наименование новых смартфонов Apple. В частности, есть информация о смартфоне iPhone 6s с 16 Гбайтами встроенной памяти.
31 августа, 2015 - 15:12 -
Разработка стандарта оперативной памяти типа DDR4 заняла порядка девяти лет, необычайно долго по меркам современных технологий. Тем не менее, принятие новой технологии рынком будет весьма скорым. По предсказаниям, уже в следующем году DDR4 станет доминирующим типом ОЗУ для серверов и персональных компьютеров.
27 августа, 2015 - 17:44 -
Компания Adesto Technologies, разработчик рынка самых малопотребляющих решений в области энергонезависимой памяти с последовательными интерфейсами, совершила прорыв в технологии ультрамаломощных запоминающих устройств.
3 февраля, 2015 - 00:07









