Корпорация Samsung, точнее, инженеры её института технологий, сумели создать первое в мире трехмерное активное устройство с переменным графеновым барьером. Этот барьер способен эффективно блокировать электричество в современных транзисторах, что, в свою очередь, позволит применять графен в микрочипах.

"Если эксперименты с графеновым устройством завершатся успешно, то технику, использованную в данной разработке, можно будет использовать для транзисторов, способных увеличить вычислительные возможности устройств в сотню раз", - сообщается в пресс-релизе института.

Подробности этой технической инновации Samsung были опубликованы в последнем номере научного журнала Science. Также институт технологий южнокорейской корпорации уже получил девять патентов на графеновые разработки.

В дальнейших планах Samsung - продолжить инвестиции в разработку графеновых технологий. Инженеры корпорации считают это направление перспективным и уверены, что графен станет будущим базисом для следующих поколений электроники.

Для справки: графен - особо стойкая двумерная аллотропная модификация углерода, образованная слоем атомов углерода толщиной в один атом. Это особо стойкий, но в то же время гибкий материал, который, вполне вероятно, станет основой для будущих электронных устройств, полупроводников и дисплеев. До сих пор именно невозможность блокировки электрического тока препятствовала использованию в микросхемах графеновых транзисторов.

Виктор ДЕМИДОВ